COS：升级的激光芯片

结构示意图
Laser beam
特点：升级的激光芯片
negative electrode
 
Laser chip
激光芯片


submount


positive electrode
1.优异的散热能力
2.简化后续组装工序
 
3.电性全检出货
 
4.可电性分类出货
 
CoS LD (LD Chip on Submount)
Wavelength band (nm) Model No. λ (nm) Po (mW) Ith(mA) Iop (mA) Vop (V) SE (W/A) θ// (°) θ⊥ (°)
650 U-CS-6505022 653 5 10 16 2.10 0.90 8.00 36
650 U-CS-6530061 655 30 35 65 2.30 1.00 8.00 28
808 U-CS-80B0061 808 200 55 230 1.80 1.10 6.50 28